◆…사진:삼성전자(1Tb V낸드)
미국의 IT전문 매체 EE타임스는 삼성전자와 마이크론이 명칭은 다르지만, 양사가 고밀도 3D 낸드플래시 솔루션을 경쟁적으로 발표하면서 시장 우위를 점하기 위한 치열한 싸움을 벌이고 있다고 10일(현지시간) 보도했다.
삼성은 업계 최고 비트 밀도라고 주장하는 1Tb(테라비트) 트리플 레벨 셀 8세대 수직형 낸드(V-NAND)를 도입한 반면 마이크론은 지난해 중반 232단 3D 낸드를 발표한 데 이어 레이어(적층) 측면에서 최신 3D 낸드를 제시할 방침이다.
삼성전자 허성회 플래시 상품 및 기술담당 부사장은 매체 인터뷰를 통해 “7세대 V-낸드에 도입한 COP(Cell-on-Peri) 구조를 이용해 높은 비트 집적도를 달성할 수 있었다”라고 밝혔다.
삼성전자는 2013년 수직 적층형 V낸드 플래시를 처음 선보였다. 허 부사장은 “이후 셀의 면적과 높이를 줄이는 혁신적(시장의 판도를 바꿀 수 있는) 기술을 개발하며 많은 노하우를 축적할 수 있었다”라고 말했다.
그 노하우에는 셀 어레이 면적을 줄이는 데 사용할 수 있는 고 종횡비(high-aspect–ratio) 접촉기술도 포함되어 있다. 8세대 V낸드는 이전 세대보다 3개 부품의 면적을 모두 최소화함으로써 집적밀도를 높였다는 설명이다.
이에 맞서는 마이크론의 움직임 또한 만만치 않다. 최근 몇 년간 마이크론은 2020년 11월 도입한 128단 기술을 적용한 176단 3D 낸드를 도입했다. CUA(CMOS-under-array) 아키텍처에 대체 게이트 기술을 적용함으로써 더 많은 적층은 물론 다이 크기도 30%가량 줄일 수 있었다고 주장했다.
그리고 지난해 7월 말 세계 최초로 232단 3D 낸드를 발표한 후 지난 12월 초에는 232단 솔루션과 함께 제공될 최신 클라이언트 SSD도 공개했다.
오브젝티브 어낼리시스(Objective Analysis)의 수석 애널리스트 짐 핸디(Jim Handy)는 삼성이 1Tb를 달성한 것에 대해 “지구를 뒤흔드는” 내용은 없었지만 새로운 적층 수와 함께 인터페이스 속도가 정말 빠르다는 것이 더 중요하다“라고 평가했다.
이어 ”이것은 응용 프로그램이 동일한 대역폭을 얻기 위한 낸드 칩이 절반으로 줄어든다는 의미“라고 덧붙였다.
궁극적으로 삼성전자와 마이크론 모두 각각 다른 자체 이름(COP 또는 CUA)을 사용하고 있지만 다이 크기를 줄이기 위한 경쟁의 과정이라는 점에서는 동일하다고 결론지었다.
