삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작한다고 밝혔다.
업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께에 비트 밀도(Bit Density)는 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술로 셀의 평면적과 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용했다.
더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 채널 홀 에칭(Channel Hole Etching) 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다.
채널 홀 에칭은 몰드 층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술로 적층 단수가 높아져 한 번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화·고도화가 요구된다.
차세대 낸드플래시 인터페이스인 Toggle 5.1이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하는 것과 함께 저전력 설계기술로 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다.
환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다. TLC 9세대 V낸드에 이어 올 하반기 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정으로 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획이다.
