올해 3조6000억원 시설투자 계획
하이닉스반도체는 지난해 4분기에 D램 가격 하락 등으로 인해 3180억원의 영업손실을 기록, 전분기에 비해 적자로 전환됐다고 1일 밝혔다.
하이닉스에 따르면 지난해 4분기 해외법인 포함 기준으로 1조8500억원을 기록해 3분기 2조4370억원에 비해 24% 가량 감소했으며, 순손실도 이자비용 증가와 환율 상승에 따른 손실 등으로 인해 4650억원의 적자를 기록했다.
특히 2007년 4분기 영업손실은 3180억원으로 전분기 영업이익 2540억원 대비 적자로 전환됐으며, 영업손실률은 17%를 기록했다.
하이닉스는 이와 관련해 "전분기에 비해 매출이 감소한 원인은 계절적 수요에 따른 메모리 출하량 증가에도 불구, 지속적인 공급과잉으로 가격이 급락했기 때문"이라고 설명했다.
D램 시장의 경우 2GB 채용 증가와 계절적 요인이 더해져 수요는 증가했으나, 상반기로부터 이월된 재고 조정이 지속되며 가격이 크게 하락한 것으로 나타났다.
또한 낸드플래시 시장은 신규 응용제품에 대한 수요가 기대에 미치지 못한 반면, 공급은 업체들의 생산능력 확대 및 공정전환으로 크게 증가했다고 하이닉스측은 설명했다.
이러한 시장상황에서 하이닉스반도체의 4분기 평균판매가격은 전분기 대비 D램의 경우 약 35%, 낸드플래시의 경우 약 34% 하락한 것으로 분석됐다.
반면 D램 출하량은 66나노 비중 확대 등으로 전분기 대비 약 7% 증가했으며, 낸드플래시 출하량도 57나노 양산 개시와 300mm D램 생산라인의 일부 낸드플래시 전환에 따라 약 43% 증가한 것으로 나타났다.
이와 함께 지난해 4분기 본사 기준으로는 매출 1조7340억원으로 전분기 대비 26% 감소했으며, 영업손실은 4350억원(손실률 25%), 순손실은 4670억원을 기록해 전분기에 비해 적자로 전환된 것으로 나타났다.
지난해 연간 경영실적은 해외법인 포함 기준으로 매출액은 8조6050억원(12%↑), 영업이익은 4910억원(76%↓), 순이익은 3610억원(82%↓)을 기록했다.
하이닉스는 "지난해 메모리 반도체 업계의 극심한 불황에도 불구하고 전년 대비 12% 증가한 연간 매출을 달성할 수 있었던 것은 기술 경쟁력을 바탕으로 66나노 D램 제품의 양산체제 구축, D램 제품의 대폭적인 생산량 증가 등으로 시장 점유율을 확대했기 때문"이라고 덧붙였다.
한편 하이닉스는 올해 기존 시설에 대한 업그레이드 및 300㎜ 생산라인 확장 등을 위해 해외법인 포함 총3조6000억원의 시설투자를 계획하고 있다고 밝혔다.
