낸드플래시, 초고적층 소요로 자본지출 299억 달러 예상

낸드플래시 공급업체가 200단 이상의 장비 투자에 경쟁적으로 뛰어들면서 2022년 플래시 메모리 자본적 지출액이 299억 달러로 최고치를 갱신할 것으로 나타났다.

반도체 전문 분석회사 IC 인사이츠(IC Insights)는 15일, 2022년 반도체 산업의 자본적 지출에 대한 맥클린(McClean) 예측보고서 1분기 업데이트를 통해 낸드플래시(NAND Flash) 투자가 8% 이상 늘어난 299억 달러를 기록할 것이라고 전망했다.

낸드플래시 업계의 시설투자가 급증한 것은 지난 2017년 3D 낸드로 전환하면서 급증해 2018년 사상 최초로 278억 달러를 돌파했으며 이후 매년 200억 달러를 상회하고 있다.

낸드플래시 시설투자 299억 달러는 올해 전체 IC 산업의 자본 지출 1,904억 달러의 16%를 차지하며 전체 반도체 투자의 41%에 달하는 파운드리 부문에 이어 두 번째 순위를 기록할 것으로 보인다.

신규 및 업그레이드된 낸드플래시 메모리 생산라인에는 삼성전자의 평택 1,2라인(D램과 파운드리)과 중국 시안 2단계 투자, 키옥시아의 이와테 Fab6(플래시) 및 Fab K1, 마이크론의 싱가포르 3번째 플래시 메모리 공장과 SK하이닉스의 M15 공장의 낸드플래시 라인이 포함된다.

이처럼 설비투자가 급증한 이유는 낸드플래시 공급업체들이 올해 말부터 내년까지 200단 이상의 레이어 경쟁을 위해 새로운 공장과 장비가 필요하기 때문이다.

현재 삼성전자와 마이크론은 SK하이닉스와 함께 176단 낸드를 양산하고 있으나 양사는 올해 말부터 200단 이상 레이어 양산을 시작할 예정이다. SK하이닉스는 기업고객용 스토리지(저장장치) 애플리케이션에 대한 수요가 증가함에 따라 2023년에 196단으로 이전할 것으로 예상된다.