삼성전자가 D램 호조세 등에 따라 반도체 생산능력 확충을 본격화하고 있다.
23일 업계에 따르면 삼성전자는 22일 8천198억원을 투자해 화성공장 메모리 15라인의 D램 생산시설을 증설하고 업그레이드하기로 했다.
삼성전자는 또 9천990억원을 들여 기존 7-14라인의 D램 및 플래시 생산시설 확충과 개선을 추진할 계획이다.
삼성전자가 이들 시설 증설과 업그레이드에 투자하는 금액은 올해 계획한 반도체 관련 시설투자액 5조4천400억원의 3분의1 정도에 달하는 것이다.
삼성전자는 이에 앞선 지난해 4분기에 올해 예정된 시설투자 계획 가운데 1조원을 조기 투자해 기존 메모리 반도체 라인의 생산능력을 확대한 바 있다.
이에 따라 삼성전자의 지난해 반도체 관련 시설투자는 모두 6조6천400억원으로, 전체 시설투자 10조원 가운데 3분의2 정도를 차지했다.
삼성전자가 이처럼 반도체 생산능력을 계속 확충하는 것은 D램의 경우 지난해에 이어 올해 마이크로소프트의 새 운영체제인 '윈도 비스타' 출시 효과 등으로 수요 강세가 지속될 것으로 예상되는 데다 낸드플래시도 신제품 출시 등에 따라 하반기부터 성수기에 접어들 것으로 전망되는 데 따른 것이다.
주우식 삼성전자 IR팀장은 지난 12일 실적발표회에서 "올해 D램은 윈도 비스타 출시 효과 등으로 1년 내내 좋을 것이며, 낸드도 MP3, 핸드폰, PMP 등 IT 신제품들이 많이 나오는 하반기부터 성수기를 주도할 것"이라고 밝힌 바 있다.
삼성전자는 올해 반도체 생산능력 확충과 함께 50나노 공정을 적용한 16기가비트 낸드플래시를 1분기부터 양산하고, 2분기에는 80나노에서 곧바로 60나노급인 68나노 미세회로 공정을 적용한 D램 양산체제에 돌입, 생산성과 경쟁력을 한층 강화한다는 전략이다.
삼성전자 관계자는 "반도체 부문이 지난해 회사 전체의 실적 전체를 견인한 데다 올해에도 D램 호조세가 지속되고 낸드도 하반기부터 여건이 좋아질 것으로 예상됨에 따라 수요에 대비하기 위해 시설 확충과 업그레이드에 박차를 가하고 있다"고 말했다.
