´ë¸¸ÀÇ ÆÄ¿îµå¸® ¾÷üÀÎ TSMC°¡ ¾ÖÇÃÀÇ ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ »ý»êÇϱâ·Î ÇÕÀÇÇÑ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ® »ï¼ºÀüÀÚÀÇ ¹ÝµµÃ¼ »ç¾÷¿¡ »¡°£ºÒÀÌ ÄÑÁö°Ô µÇ¾ú´Ù.
´ë¸¸ÀÇ ITÀü¹® µðÁöŸÀÓÁî´Â º¹¼öÀÇ ¼Ò½ÄÅëÀ» Àοë, ´ë¸¸ÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ¼öŹ°¡µ¿¾÷üÀÎ TSMC¿Í ¾ÖÇÃÀÌ 20nm(³ª³ë¹ÌÅÍ,1³ª³ë¹ÌÅÍ´Â10¾ïºÐÀÇ1¹ÌÅÍ) , 16nm, 10nm ±â¹ÝÀÇ ÇÁ·Î¼¼¼ »ý»ê¿¡ ÇÕÀÇÇß´Ù°í 24ÀÏ º¸µµÇß´Ù.
¾÷°è¼Ò½ÄÅëÀº TSMC¿Í Çù·Â»çÀÎ ±Û·Î¹ú À¯´ÏĨ(Global UniChip)ÀÌ ÇâÈÄ 3³â µ¿¾È ¾ÖÇÃÀÌ »ç¿ëÇÏ°Ô µÉ A½Ã¸®Áî ĨÀ» 20nm, 16nm, 10nm °øÁ¤À» Àû¿ëÇØ ¼öŹ°¡°øÇϱâ·Î ÇÕÀÇÇß´Ù°í ÀüÇß´Ù.
ÀÌ¿¡ µû¸£¸é TSMC´Â ¿À´Â 7¿ùºÎÅÍ ¾ÖÇÃÀÇ A8 ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ ¼Ò·® °ø±ÞÇÏ°í 12¿ùºÎÅÍ º»°ÝÀûÀÎ 20nm °øÁ¤À» Àû¿ëÇØ ³»³â 1ºÐ±â¿¡´Â ¿þÀÌÆÛ »ý»ê´É·ÂÀ» 5¸¸Àå±îÁö ²ø¾î ¿Ã¸± °èȹÀ̶ó°í ¹àÇû´Ù.
¶ÇÇÑ 20nm °øÁ¤ÀÇ ¹èÄ¡°¡ ¿Ï·áµÈ ÈÄ 16nm °øÁ¤À¸·Î ¾÷±×·¹À̵å, ³»³â 3ºÐ±âºÎÅÍ ¾ÖÇÃÀÇ A9°ú A9¡¿Ä¨ 2¸¸ÀåÀ» »ý»êÇÒ °èȹÀ̶ó°í ÁÖÀåÇß´Ù.
À̵é ȸ»ç¸¦ ÅëÇØ »ý»êµÇ´Â A8 ÇÁ·Î¼¼¼´Â ³»³â ÃÊ¿¡ Ãâ½ÃµÉ ¿¹Á¤ÀÎ Â÷¼¼´ë ¾ÆÀÌÆù¿¡ žÀçµÉ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù. A9°ú A9X ĨÀº ÀÌÈÄ Ãâ½ÃµÇ´Â ¾ÆÀÌÆù°ú ¾ÆÀÌÆе忡 ÀåÂøµÉ °ÍÀ¸·Î ÀüÇØÁ³´Ù.
ÇÑÆí TSMC´Â ´ë¸¸ ³²ºÎ¿¡ À§Ä¡ÇÑ Á¦14°øÀå 4.5.6¶óÀÎÀÇ 12ÀÎÄ¡ ¿þÀÌÆÛ »ý»ê°øÀåÀ» ¾ÖÇÃÀÇ A½Ã¸®Áî ÇÁ·Î¼¼¼ »ý»ê Àü¿ë°øÀåÀ¸·Î »ç¿ëÇÒ °èȹÀÎ °ÍÀ¸·Î ¾Ë·ÁÁ³´Ù.
TSMC¿Í ±Û·Î¹ú À¯´ÏĨÀº ÀÌ¿¡ ´ëÇØ ¹àÈ÷±â¸¦ °ÅºÎÇÏ°í °í°´»ç¿Í °ü·ÃµÈ ÀÏüÀÇ ³»¿ë¿¡ ´ëÇØ ÇÔ±¸ÇßÀ¸¸ç ¼Ò½ÄÅëµµ TSMC°¡ À¯ÀÏÇÑ ÇÁ·Î¼¼¼ »ý»ê¾÷üÀÎÁö¿¡ ´ëÇؼ´Â ¹àÈ÷Áö ¾Ê¾Ò´Ù.
¾ÖÇÃÀÌ ´çÀå »ï¼ºÀüÀÚ¿¡¼ »ý»êÇÏ´Â ¸ðµç ÇÁ·Î¼¼¼¸¦ TSMC·Î º¯°æÇÏ´Â °ÍÀº ½±Áö ¾Ê°ÚÁö¸¸ ±×µ¿¾È ¼Ò¹®¸¸ ³ªµ¹¾Ò´ø TSMC »ý»êÀÌ È®ÀεÊÀ¸·Î½á »ï¼ºÀüÀÚÀÇ ÆÄ¿îµå¸® »ç¾÷ÀÌ Ãà¼ÒµÉ °ÍÀ¸·Î ¿ì·ÁµÇ°í ÀÖ´Ù.
ƯÈ÷ »ï¼ºÀüÀÚ°¡ ¾ÖÇÃÀÇ ÆÄ¿îµå¸® ´Ùº¯È Àü·«¿¡ ¸Â¼±â À§ÇÑ ¹æ¾ÈÀÇ Çϳª·Î ¾ß½ÉÀÛÀ¸·Î ³»³õÀº ¿¢½Ã³ë½º5410 ¿ÁŸÄÚ¾îÀÇ ¼º´ÉÀÌ ±â´ë¿¡ ¹ÌÄ¡Áö ¸øÇÑ´Ù´Â Æò°¡¿©¼ ¹®Á¦Á¡À¸·Î ÁöÀûµÇ°í ÀÖ´Ù.