삼성전자가 중국 현지 메모리 반도체 공장의 본격 가동에 들어갔다.
삼성전자는 5월 9일 권오현 부회장 등 삼성전자경영진과 산시성 관계자 그리고 한국 대사관 관계자 등이 참석한 가운데 신규로 건설한 메모리 반도체 공장의 준공식을 갖고 본격적인 제품생산에 돌입했다고 9일 밝혔다.
삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 통해 완성되었으며 총 34만5000평의 부지에 연면적 7만평 규모로 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산할 계획이다.
시안 메모리 반도체 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 “글로벌 반도체 생산 3거점 체제"를 구축했다며 “반도체 생산 3거점 체제란 시스템반도체를 중심으로 하는 미국, 메모리 반도체를 중심으로 하는 중국, 모든 반도체 제품을 생산·조정하는 한국”을 의미한다고 밝혔다.
특히 중국 공장이 위치한 시안은 1100여 년간 중국의 수도 역할을 담당한 역사의 도시이며 과거 동양과 서양의 문물을 연결하던 실크로드의 출발점으로도 유명하다.
시안 공장의 완공으로 삼성전자는 10나노급 낸드플래시 제품의 듀얼 생산체계를 구축해 생산규모도 확대하고 고객에게 보다 안정적으로 제품을 공급할 수 있게 되었다.
특히 글로벌 IT 기업들의 생산거점이자 세계 낸드플래시 수요의 50%를 차지하는 중국 내에서 낸드플래시 제품을 직접 생산하여 공급함으로써 시장과 고객에 더욱 효율적으로 대응할 수 있게 됐다.
이와 더불어 삼성전자와 시안에 동반 진출한 국내 협력사들도 글로벌 운영체제를 갖추며 미래 성장 동력을 마련했다. V-NAND는 국내 업체들이 충분한 경쟁력을 갖춘 증착공정의 비중이 높다.
