삼성전자는 23일 90나노 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR2 D램의 본격적인 양산에 돌입했다고 밝혔다. 1나노는 10억분의 1m로 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1에 해당한다.
90나노 공정은 기존 0.11㎛(미크론)급 공정 대비 약 40% 생산성 향상을 가져와 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있다. 삼성전자는 지난해 9월 90나노 공정을 적용한 512Mb(메가비트) D램 생산을 시작하며 본격적인 나노 D램 시대를 열은 바 있다.
삼성전자는 이미 90나노 공정을 적용하고 있는 512Mb DDR, 512Mb DDR2 및 512Mb 그래픽 DDR3에 이어 1Gb D램에도 조기에 90나노 공정을 적용해 양산을 시작, 경쟁사와의 격차를 한층 더 벌리며 차세대 나노급 D램 시장의 주도권을 더욱 확고히 유지하게 됐다.
이번에 삼성전자가 양산하는 제품은 인텔의 인증도 획득했다. 90나노 512Mb DDR2 (400/533/667) 전 제품도 이미 인텔 인증을 획득한 상태.
삼성전자는 시장상황에 따라 이르면 3분기부터 90나노 1Gb DDR 400 제품도 양산할 예정이다.
최근, 서버를 비롯한 PC 환경이 64비트 시대를 맞이하면서 이를 지원하는 메모리의 용량도 지속적으로 증가할 것으로 분석되고 있다.
데이터퀘스테에 따르면 1Gb 이상 기가급 D램도 점차 늘어나 오는 2008년에는 1Gb D램이 170억달러 규모로 주력 메모리 제품이 될 것으로 예상된다.
이에 따라, 삼성전자는 올 4분기까지 90나노 1Gb D램 월 100만개 생산체제를 갖추고 지속적으로 생산량을 늘려 나갈 예정이며, 90나노 공정 비중도 올 연말에는 40%로 확대할 계획이다.
