◆…사진제공:SK하이닉스
SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다.
1세대(1x) 대비 생산성은 약 20% 향상된 반면 전력 소비는 15% 이상 감축해 업계 최고 수준의 전력 효율도 갖췄으며 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 구현된다.
전송 속도 향상을 위해 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 '4Phase Clocking' 설계 기술을 적용했다.
전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 '센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술'도 도입했다. D램 셀에 작은 전하 형태로 저장되어있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 센스 앰프의 성능을 강화하는 기술이다.
D램은 센스 앰프의 역할이 강조되는바 미세공정이 고도화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아지는 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선하는 방법을 이용했다.
또한 데이터 증폭/전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 동작에 필요한 만큼의 전력만을 공급함으로써 불필요한 전력 사용을 방지했다.
한편 SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로, 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.
